Division MN


Division Microélectronique et Nanotechnologie

Directeur de la Division:  Boualem Djezzar


Les activités de recherche de la Division Microélectronique et Nanotechnologie portent de façon générale sur la conception de circuits intégrés RF et mixtes et de systèmes intégrés sur puce et de composants MEMS, le développement d’outils CAO-VLSI, la caractérisation des dispositifs à semi-conducteurs, la simulation technologique et le développement d’un Design Kit pour CMOS 1µm.

La Conception de circuits intégrés porte essentiellement sur :

  • Les circuits intégrés spécifiques ASICs,
  • Les systèmes intégrés sur puce (SoC),
  • Les circuits intégrés à radiofréquence.

L’activité sur la conception de composants MEMS porte sur :

  • Les composants fondés sur les Matériaux à Bande Interdite pour les Capteurs et les télécommunications.

      L’activité de développement d’outils de CAO/VLSI porte essentiellement sur :

  • L’outil d’aide à la conception de réseaux sur puce pour des architectures 2D,
  • La synthèse de haut niveau de systèmes VLSI à intégrer sur la même puce,
  • Le développement d’outils de CAO/VLSI répondant à de nouvelles contraintes introduites par les implémentations System On Chip,
  • Le développement de techniques d’optimisation efficaces du point de vue temps CPU du fait du traitement d’un ensemble de données très large,
  • Le développement d’outils d’aide à la conception de systèmes digitaux à faible consommation de puissance.

 

L’activité de caractérisation porte essentiellement sur :

  • La caractérisation électrique des composants et dispositifs à semi-conducteurs,
  • La fiabilité des structures MOS soumises aux contraintes électriques et aux radiations ionisantes,
  • Le développement de méthodes de qualifications électriques de la dégradation des transistors irradiés.

 

L’activité simulation technologique porte essentiellement sur :

  • La simulation TCAD (SILVACO) de procédés technologiques CMOS,
  • La modélisation numérique.

 

L’activité développement d’un Design Kit a porté sur un DK pour une technologie
CMOS 1µm.