{"id":6875,"date":"2019-07-23T14:15:07","date_gmt":"2019-07-23T14:15:07","guid":{"rendered":"http:\/\/10.1.5.53\/?page_id=6875"},"modified":"2022-11-16T08:55:00","modified_gmt":"2022-11-16T08:55:00","slug":"section-procedes","status":"publish","type":"page","link":"https:\/\/www.cdta.dz\/fr\/recherche-et-technologie\/plateformes-technologiques\/plateforme-de-micro-fabrication\/section-procedes\/","title":{"rendered":"Section Proc\u00e9d\u00e9s"},"content":{"rendered":"

[vc_row][vc_column][vc_column_text el_class=\u00a0\u00bbtext-justify\u00a0\u00bb]<\/p>\n

Section Proc\u00e9d\u00e9s<\/span><\/h1>\n

Le service de proc\u00e9d\u00e9 a pour mission de d\u00e9velopper et d\u2019assurer les \u00e9tapes de production de la licence CMOS 1\u00b5m et des composants MEMS, plus pr\u00e9cis\u00e9ment, les \u00e9tapes suivantes :<\/span><\/p><\/blockquote>\n

    \n
  • R\u00e9alisation de proc\u00e9d\u00e9s de d\u00e9p\u00f4t physique et chimique<\/span><\/li>\n
  • Gravure humide et nettoyage chimique<\/span><\/li>\n
  • Gravure s\u00e8che par plasma<\/span><\/li>\n
  • R\u00e9alisation de proc\u00e9d\u00e9s de lithographie<\/span><\/li>\n
  • Implantation ionique<\/span><\/li>\n
  • Inspection et caract\u00e9risation des \u00e9tapes de r\u00e9alisation<\/span><\/li>\n
  • D\u00e9coupage et encapsulation de puces \u00e9lectroniques<\/span><\/li>\n<\/ul>\n

    Liste des \u00e9quipements mis en place pour la r\u00e9alisation et caract\u00e9risation :<\/span><\/h3>\n
      \n
    • Photolithographie (I-line UV stepper 6\u201d+Dual Coater & Developer Track).<\/li>\n
    • Gravure humide et nettoyage (SAT, SST, etc.).<\/li>\n
    • Gravure s\u00e8che par plasma (M\u00e9tal, PolySi , Oxyde, Nitrure).<\/li>\n
    • Implantation ionique en Phosphore (dopage N), Bore (dopage P) et Arsenic (dopage N).<\/li>\n
    • Diffusion et d\u00e9p\u00f4t (Silice, nitrure, poly, Oxydation) avec des fours horizontaux destin\u00e9s pour la r\u00e9alisation des proc\u00e9d\u00e9s \u00e0 pression atmosph\u00e9rique et \u00e0 basse pression.<\/li>\n
    • D\u00e9p\u00f4t M\u00e9tal PVD (Aluminium, titane, TiN).<\/li>\n
    • D\u00e9p\u00f4t de films minces PECVD (oxyde & nitrure).<\/li>\n
    • M\u00e9trologie, Inspection & Test.<\/li>\n
    • D\u00e9coupe & encapsulation.<\/li>\n<\/ul>\n

       <\/p>\n

      Dr. Walid Filali<\/strong>
      \nChef de section<\/strong>
      \nEmail: wfilali@cdta.dz<\/p>\n

      [\/vc_column_text][\/vc_column][\/vc_row][vc_row][vc_column width=\u00a0\u00bb1\/2″][vc_hoverbox image=\u00a0\u00bb7678″ primary_title=\u00a0\u00bb\u00a0\u00bb hover_title=\u00a0\u00bbZone de photolithographie\u00a0\u00bb hover_title_font_container=\u00a0\u00bbcolor:%231e73be\u00a0\u00bb use_custom_fonts_hover_title=\u00a0\u00bbtrue\u00a0\u00bb hover_title_link=\u00a0\u00bburl:http%3A%2F%2Fwww.cdta.dz%2Ffr%2Frecherche-et-technologie%2Fplateformes-technologiques%2Fplateforme-de-micro-fabrication%2Fsection-procedes%2Fzone-de-photolithographie%2F|title:Zone%20de%20photolithographie||\u00a0\u00bb el_class=\u00a0\u00bbtext-justify\u00a0\u00bb]Toutes les \u00e9tapes du proc\u00e9d\u00e9 photolithographique (d\u00e9shydratation et d\u00e9p\u00f4t d\u2019HMDS, d\u00e9p\u00f4t et \u00e9talement de r\u00e9sine, exposition aux UV, d\u00e9veloppement de r\u00e9sine, et l\u2019inspection\u2026) s\u2019effectuent dans cette zone …[\/vc_hoverbox][\/vc_column][vc_column width=\u00a0\u00bb1\/2″][vc_hoverbox image=\u00a0\u00bb7596″ primary_title=\u00a0\u00bb\u00a0\u00bb hover_title=\u00a0\u00bbZone de diffusion\u00a0\u00bb hover_title_font_container=\u00a0\u00bbcolor:%231e73be\u00a0\u00bb use_custom_fonts_hover_title=\u00a0\u00bbtrue\u00a0\u00bb el_class=\u00a0\u00bbtext-justify\u00a0\u00bb hover_title_link=\u00a0\u00bburl:http%3A%2F%2Fwww.cdta.dz%2Ffr%2Frecherche-et-technologie%2Fplateformes-technologiques%2Fplateforme-de-micro-fabrication%2Fsection-procedes%2F7599-2%2F|title:Zone%20de%20diffusion||\u00a0\u00bb]La zone de diffusion comprend trois fours horizontaux destin\u00e9s pour la r\u00e9alisation des proc\u00e9d\u00e9s \u00e0 pression atmosph\u00e9rique et \u00e0 base pression tels que l\u2019oxydation, la diffusion, le recuit, le d\u00e9p\u00f4t de nitrure de silicium, le d\u00e9p\u00f4t du poly-Si et le d\u00e9p\u00f4t du TEOS et BPSG …[\/vc_hoverbox][\/vc_column][\/vc_row][vc_row][vc_column][vc_empty_space][\/vc_column][\/vc_row][vc_row][vc_column width=\u00a0\u00bb1\/2″][vc_hoverbox image=\u00a0\u00bb7601″ primary_title=\u00a0\u00bb\u00a0\u00bb hover_title=\u00a0\u00bbZone de d\u00e9pot par plasma\u00a0\u00bb hover_title_font_container=\u00a0\u00bbcolor:%231e73be\u00a0\u00bb use_custom_fonts_hover_title=\u00a0\u00bbtrue\u00a0\u00bb hover_title_link=\u00a0\u00bburl:http%3A%2F%2Fwww.cdta.dz%2Ffr%2Frecherche-et-technologie%2Fplateformes-technologiques%2Fplateforme-de-micro-fabrication%2Fsection-procedes%2Fzone-de-depot-par-plasma%2F|title:Zone%20de%20d%C3%A9p%C3%B4t%20par%20plasma||\u00a0\u00bb el_class=\u00a0\u00bbtext-justify\u00a0\u00bb]Le r\u00f4le de la zone de d\u00e9p\u00f4t par plasma dans le proc\u00e9d\u00e9 de fabrication technologique CMOS est la r\u00e9alisation des contacts et des interconnexions (couches m\u00e9tallique) entre les diff\u00e9rentes parties du circuit en cours de fabrication, ainsi que la r\u00e9alisation des …[\/vc_hoverbox][\/vc_column][vc_column width=\u00a0\u00bb1\/2″][vc_hoverbox image=\u00a0\u00bb7638″ primary_title=\u00a0\u00bb\u00a0\u00bb hover_title=\u00a0\u00bbZone de gravure par plasma\u00a0\u00bb hover_title_font_container=\u00a0\u00bbcolor:%231e73be\u00a0\u00bb use_custom_fonts_hover_title=\u00a0\u00bbtrue\u00a0\u00bb hover_title_link=\u00a0\u00bburl:http%3A%2F%2Fwww.cdta.dz%2Ffr%2Frecherche-et-technologie%2Fplateformes-technologiques%2Fplateforme-de-micro-fabrication%2Fsection-procedes%2Fzone-de-gravure-par-plasma%2F|title:Zone%20de%20gravure%20par%20plasma||\u00a0\u00bb el_class=\u00a0\u00bbtext-justify\u00a0\u00bb]La gravure par plasma dite s\u00e8che, utilise des agents de gravure en phase gazeuse dans un plasma \u00e0 basse pression. 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