{"id":7599,"date":"2019-09-19T08:23:22","date_gmt":"2019-09-19T08:23:22","guid":{"rendered":"http:\/\/10.1.5.53\/?page_id=7599"},"modified":"2019-09-25T07:26:34","modified_gmt":"2019-09-25T07:26:34","slug":"7599-2","status":"publish","type":"page","link":"https:\/\/www.cdta.dz\/fr\/recherche-et-technologie\/plateformes-technologiques\/plateforme-de-micro-fabrication\/section-procedes\/7599-2\/","title":{"rendered":"Zone de diffusion"},"content":{"rendered":"<p>[vc_row][vc_column][vc_column_text]<\/p>\n<h1><span style=\"color: #3366ff\">Zone de diffusion<\/span><\/h1>\n<p>La zone de diffusion comprend trois fours horizontaux destin\u00e9s pour la r\u00e9alisation des proc\u00e9d\u00e9s \u00e0 pression atmosph\u00e9rique et \u00e0 base pression tels que l\u2019oxydation, la diffusion, le recuit, le d\u00e9p\u00f4t de nitrure de silicium, le d\u00e9p\u00f4t du poly-Si et le d\u00e9p\u00f4t du TEOS et BPSG.\u00a0Ces op\u00e9rations exigent des syst\u00e8mes utilitaires pour assurer un bon fonctionnement des fours tels que l\u2019instalation du syst\u00e8me\u00a0de gestion des gaz, syst\u00e8me de vide et syst\u00e8me d\u2019extraction (Exhaust).<\/p>\n<p><span style=\"color: #3366ff\"><strong>Prestations possibles dans la zone de diffusion\u00a0:<\/strong><\/span><\/p>\n<ul>\n<li>Oxydation (S\u00e8che et humide)<\/li>\n<li>Recuit en temp\u00e9rature. (350- 900C\u00b0)<\/li>\n<li>D\u00e9p\u00f4t LPCVD (Poly-Si, SiN,TEOS, BPSG )<\/li>\n<li>D\u00e9p\u00f4t CVD (POCL3)<\/li>\n<li>Recuit \u00e0 haute temp\u00e9rature 1150 C\u00b0<\/li>\n<\/ul>\n<h4 class=\"spip \"><span style=\"color: #3366ff\"><strong>Traitement thermique et Recuit \u00e0 haute temp\u00e9rature\u00a0<\/strong><\/span><\/h4>\n<p>Les op\u00e9rations de traitements thermiques sur les substrats en silicium sont effectu\u00e9es dans des fours permettant\u00a0:<\/p>\n<ul>\n<li>la croissance d\u2019oxyde de silicium<\/li>\n<li>la distribution des dopants dans le silicium<\/li>\n<li>le recuit de mat\u00e9riaux, (Recuit de gu\u00e9rison et redistribution)<\/li>\n<\/ul>\n<p>L\u2019ensemble de ces op\u00e9rations son effectu\u00e9e sur un proc\u00e9d\u00e9 atmosph\u00e9rique, neutralis\u00e9 par un d\u00e9bit d\u2019azote.<\/p>\n<h4 class=\"spip \"><span style=\"color: #3366ff\"><strong>Oxydation (S\u00e8che et humide)<\/strong><\/span><\/h4>\n<p>La croissance d\u2019oxyde de silicium est obtenue par la r\u00e9action d\u2019esp\u00e8ces oxydantes \u00e0 la surface du silicium (O2 ou H2) \u00e0 haute temp\u00e9rature (800\u00b0C \u00e0 960\u00b0C) et \u00e0 la pression atmosph\u00e9rique.<br \/>\nLe tableau ci-dessous montre les diff\u00e9rents types d\u2019oxydes r\u00e9alis\u00e9s au sien de la centrale technologique\u00a0:<\/p>\n<table class=\"spip\" border=\"2\" cellspacing=\"1\" cellpadding=\"1\">\n<tbody>\n<tr>\n<td>Proc\u00e9d\u00e9<\/td>\n<td>Couches<\/td>\n<td>Epaisseur<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Oxydation humide<\/td>\n<td>Epais<\/td>\n<td>(0.1-0.8 \u03bcm)<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Oxydation s\u00e8che<\/td>\n<td>Minces<\/td>\n<td>(10-25 nm)<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<h4 class=\"spip \"><span style=\"color: #3366ff\"><strong>D\u00e9p\u00f4ts LPCVD\u00a0<\/strong><\/span><\/h4>\n<p>Le tableau ci-dessous montre les \u00e9tapes du proc\u00e9d\u00e9 r\u00e9alis\u00e9 dans la zone diffusion. Les \u00e9paisseurs mentionn\u00e9es sont recommand\u00e9es pour un proc\u00e9d\u00e9 optimis\u00e9.<\/p>\n<table class=\"spip\" border=\"2\" cellspacing=\"1\" cellpadding=\"1\">\n<tbody>\n<tr>\n<td>Proc\u00e9d\u00e9<\/td>\n<td>Epaisseur<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>LPCVD nitrure<\/td>\n<td>(150-300nm)<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>LPCVD TEOS<\/td>\n<td>(30- 100- 300 nm)<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>LPCVD BPSG<\/td>\n<td>(700nm)<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Poly-Si<\/td>\n<td>(300-500nm)<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<p>[\/vc_column_text][\/vc_column][\/vc_row]<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>[vc_row][vc_column][vc_column_text] Zone de diffusion La zone de diffusion comprend trois fours horizontaux destin\u00e9s pour la r\u00e9alisation des proc\u00e9d\u00e9s \u00e0 pression atmosph\u00e9rique et \u00e0 base pression tels que l\u2019oxydation, la diffusion, le recuit, le d\u00e9p\u00f4t de nitrure de silicium, le d\u00e9p\u00f4t du poly-Si et le d\u00e9p\u00f4t du TEOS et BPSG.\u00a0Ces op\u00e9rations exigent des syst\u00e8mes utilitaires pour [&hellip;]<\/p>\n","protected":false},"author":46,"featured_media":2195,"parent":6875,"menu_order":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","template":"division-page.php","meta":{"footnotes":""},"class_list":["post-7599","page","type-page","status-publish","has-post-thumbnail","hentry"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.cdta.dz\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/pages\/7599\/"}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.cdta.dz\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/pages\/"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.cdta.dz\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/page\/"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cdta.dz\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/users\/46\/"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cdta.dz\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/comments\/?post=7599"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/www.cdta.dz\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/pages\/7599\/revisions\/"}],"up":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cdta.dz\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/pages\/6875\/"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.cdta.dz\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2195\/"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.cdta.dz\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media\/?parent=7599"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}