{"id":7663,"date":"2019-09-19T09:13:16","date_gmt":"2019-09-19T09:13:16","guid":{"rendered":"http:\/\/10.1.5.53\/?page_id=7663"},"modified":"2019-11-21T14:08:10","modified_gmt":"2019-11-21T14:08:10","slug":"zone-de-gravure-humide-et-nettoyage","status":"publish","type":"page","link":"https:\/\/www.cdta.dz\/fr\/recherche-et-technologie\/plateformes-technologiques\/plateforme-de-micro-fabrication\/section-procedes\/zone-de-gravure-humide-et-nettoyage\/","title":{"rendered":"Zone de gravure humide et nettoyage"},"content":{"rendered":"<p>[vc_row][vc_column][vc_column_text]<\/p>\n<h1><span style=\"color: #3366ff\">Zone de gravure humide et nettoyage<\/span><\/h1>\n<p>Cette zone est destin\u00e9e pour la gravure par voie chimique des oxydes et nitrures de silicium (SiO<sub>2<\/sub>, Si<sub>3<\/sub>N<sub>4<\/sub>) par des acides forts.<\/p>\n<p>Le nettoyage des plaquettes est une \u00e9tape pr\u00e9alable afin d&rsquo;assurer la continuit\u00e9 du proc\u00e9d\u00e9 de fabrication. \u00c0 cet effet, des solutions d&rsquo;acides et de bases dilu\u00e9es sont utilis\u00e9s selon des standards bien d\u00e9termin\u00e9s.<\/p>\n<p>Les \u00e9quipements qui permettent de r\u00e9aliser ces proc\u00e9d\u00e9s chimiques sont list\u00e9s comme suit:<\/p>\n<h4 class=\"spip \"><span style=\"color: #3366ff\">Equipement de gravure d\u2019oxyde de silicium<\/span><\/h4>\n<p>Cet \u00e9quipement est destin\u00e9 \u00e0 la gravure de l\u2019oxyde de silicium, par la solution d\u2019acide fluorhydrique (HF) tamponn\u00e9 par le fluorure d\u2019ammonium (NH4F), dite BOE (Buffered Oxide Etch). Le chargement de la solution chimique se fait manuellement.<br \/>\nIl est fabriqu\u00e9 en Polypropyl\u00e8ne naturel, la tuyauterie en Polyvinylid\u00e8ne fluoride (PVDF), qui pr\u00e9sente une bonne r\u00e9sistance aux acides.<\/p>\n<h4 class=\"spip \"><span style=\"color: #3366ff\">Equipement de gravure de nitrure de silicium<\/span><\/h4>\n<p>Cet \u00e9quipement est destin\u00e9 \u00e0 la gravure de nitrure de silicium (Si3N4), par la solution d\u2019acide phosphorique 80% (H3PO4) \u00e0 160-165\u00b0C. Le chargement de la solution chimique se fait manuellement.<br \/>\nLa conception g\u00e9n\u00e9rale de cet \u00e9quipement est quasiment similaire \u00e0 celui destin\u00e9 \u00e0 la gravure d\u2019oxyde de silicium.<br \/>\nIl est fabriqu\u00e9 en Polypropyl\u00e8ne naturel, la tuyauterie en Polyvinylid\u00e8ne fluoride (PVDF), qui pr\u00e9sente une bonne r\u00e9sistance aux acides.<\/p>\n<h4 class=\"spip \"><span style=\"color: #3366ff\">SPRAY SOLVENT TOOL (SST)<\/span><\/h4>\n<p>C\u2019est un \u00e9quipement de chargement manuel con\u00e7u pour l\u2019utilisation des solvants inflammables pour l\u2019enl\u00e8vement des r\u00e9sines photosensibles, gravure des polym\u00e8res, des polyamides et des contaminants organiques.<br \/>\nIl est fabriqu\u00e9 en acier inoxydable, mati\u00e8re r\u00e9sistante aux attaques des solvants organiques.<\/p>\n<h4 class=\"spip \"><span style=\"color: #3366ff\">SPRAY ACID TOOL (SAT)<\/span><\/h4>\n<p>Il est con\u00e7u pour la r\u00e9alisation des proc\u00e9d\u00e9s de cleaning, stripping &amp; etching\u00a0:<\/p>\n<ul>\n<li>Piranha (H2SO4\u00a0: H2O2)<\/li>\n<li>SC1 (NH4OH\u00a0: H2O2\u00a0: H2O)<\/li>\n<li>SC2 (HCl\u00a0: H2O2\u00a0: H2O)<\/li>\n<li>DHF (HF\u00a0: H2O).<\/li>\n<\/ul>\n<h4 class=\"spip \"><span style=\"color: #3366ff\">Spin Rinser Dryer (SRD)<\/span><\/h4>\n<p>Cet \u00e9quipement est d\u00e9di\u00e9 au rin\u00e7age final et s\u00e9chage des wafers apr\u00e8s ex\u00e9cution d\u2019un proc\u00e9d\u00e9 quelconque.<br \/>\nLe rin\u00e7age des wafers par de l\u2019eau ultra pure et le s\u00e9chage par de l\u2019azote chaud qui \u00e9vapore l\u2019eau et l\u2019humidit\u00e9 de la surface.<\/p>\n<h4 class=\"spip \"><span style=\"color: #3366ff\">Les produits chimiques utilis\u00e9s<\/span><\/h4>\n<p>Les produits chimiques utilis\u00e9s sont\u00a0:<\/p>\n<ul>\n<li>HF \u00e0 21\u00b0C avec et sans contact direct<\/li>\n<li>NH4F \u00e0 21 \u00b0C en contact direct<\/li>\n<li>H3PO4 \u00e0 160 \u00b0C en contact direct<\/li>\n<li>H2SO4 \u00e0 90\u00b0C pas de contact direct<\/li>\n<li>NH4OH \u00e0 60\u00b0C pas de contact direct<\/li>\n<li>HCl \u00e0 60\u00b0C pas de contact direct<\/li>\n<li>H2O2 \u00e0 60\u00b0C, et 90\u00b0C pas de contact direct<\/li>\n<li>EKC solution commerciale \u00e0 70\u00b0C pas de contact direct<\/li>\n<li>IPA<\/li>\n<\/ul>\n<h4 class=\"spip \"><span style=\"color: #3366ff\">Les \u00e9quipements de protection individuelle\u00a0<\/span><\/h4>\n<p>Dans le cas de bain comme le cas de gravure d\u2019oxyde et de nitrure de silicium, les EPI sont obligatoire, vu le contact direct avec la solution chimique, et sont, le tablier, les lunettes, le masque et les gants r\u00e9sistants aux produits chimiques.<\/p>\n<p>[\/vc_column_text][\/vc_column][\/vc_row][vc_row][vc_column][vc_gallery interval=\u00a0\u00bb3&Prime; images=\u00a0\u00bb7660,7665,7668,7671,7674&Prime; img_size=\u00a0\u00bbfull\u00a0\u00bb][\/vc_column][\/vc_row]<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>[vc_row][vc_column][vc_column_text] Zone de gravure humide et nettoyage Cette zone est destin\u00e9e pour la gravure par voie chimique des oxydes et nitrures de silicium (SiO2, Si3N4) par des acides forts. 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