Abstract; This work presents a new method to easily and rapidly extract RF figures of merit of MOSFET transistors. Using DC and low frequency measurements, the extrinsic resistances (Rg, Rs, Rd), the intrinsic conductances (gm, gd), and the input capacitance Cgg have been extracted. The evaluation of these parameters has enabled to compute 2 RF figures of merit (FoM), namely, […]
نوفمبر 6, 2019 Rachid SIKADOUR 2018, التاريخ, فرقة الدوائر المتكاملة التناظرية بتردد الراديو, قسم البحث الالكترونيك الدقيقة و النانوتكنولوجيا equivalent circuit, extraction method, toff frequency
READ MORE
Abstract; In this paper, a set of ultra-compact CMOS bandpass filters are proposed for ultra-wideband (UWB) applications. For this aim, a comparative study was first performed enabling to deduce that Chebyshev-inverse and Hourglass filtering functions can be the most suitable for UWB operation. The impact of the latter functions on the easiness of implementation in […]
نوفمبر 6, 2019 Rachid SIKADOUR 2018, التاريخ, فرقة الدوائر المتكاملة التناظرية بتردد الراديو, قسم البحث الالكترونيك الدقيقة و النانوتكنولوجيا band-pass filters, Chebyshev filters, CMOS integrated circuits
Abstract; This study presents a new design of compact transimpedance amplifier (TIA) for optical communication applications. By adopting the regulated common gate (RCG) topology, the proposed amplifier is designed and synthesised based on a thirdorder elliptic filter approach. Implemented in 0.13 μm complementary metal oxide semiconductor technology, the post layout simulation results provide 50 dB […]
نوفمبر 6, 2019 Rachid SIKADOUR 2018, التاريخ, فرقة الدوائر المتكاملة التناظرية بتردد الراديو, قسم البحث الالكترونيك الدقيقة و النانوتكنولوجيا integrated circuit layout, MMIC amplifiers, telecommunication network topology
Abstract; This paper presents a new attempt to more understand negative bias temperature instability (NBTI) stress in semiconductor devices. NBTI impact has been experimentally investigated on both p-substrate MOS (nMOS-capacitor) and nMOS transistors under accumulation condition, and new findings have been revealed. Indeed, nMOS-capacitor’s flat band shift (VFB) under NBTI stress has disclosed that time […]
نوفمبر 6, 2019 Rachid SIKADOUR 2018, التاريخ, فرقة موثوقية مكونات أشباه الموصلات, قسم البحث الالكترونيك الدقيقة و النانوتكنولوجيا NBTI, nMOS-capacitor, nMOSFET
Abstract; To efficiently design GaN HEMT devices, a robust extraction of their intrinsic electrical equivalent circuit element values is critical. Aiming to accurately determine all intrinsic element values, a new elements‐based small‐signal equivalent circuit technique is introduced in this paper. Compared to the conventional GaAs‐based HEMT small‐signal model composed of 16 elements, the proposed equivalent […]
نوفمبر 6, 2019 Rachid SIKADOUR 2018, التاريخ, فرقة الدوائر المتكاملة التناظرية بتردد الراديو, قسم البحث الالكترونيك الدقيقة و النانوتكنولوجيا extraction method, GaN HEMT, intrinsic element
Abstract; In this work, we investigate numerically the propagation of Lamb waves in a film bulk acoustic resonator (FBAR) structure formed by piezoelectric ZnO layer sandwiched between two Mo electrodes coupled with Bragg reflectors; the system is thus considered as a phononic-crystal (PnC) plate. The aim is to suppress the first-order symmetric Lamb wave mode […]
نوفمبر 6, 2019 Rachid SIKADOUR 2018, التاريخ, فرقة الأنظمة الكهروميكانيكية الدّقيقة وأجهزة الاستشعار, قسم البحث الالكترونيك الدقيقة و النانوتكنولوجيا Materials, Mechatronic systems, Sensors and actuators
يوليو 24, 2019 Zaid BOUSMINA
الإنجليزية
الفرنسية
العربية