Historique du CDTA

Historique du CDTA

Textes réglementaires régissant le CDTA en tant que EPST

Décret exécutif n° 99-256 du 8 Chaâbane 1420 correspondant au 16 novembre 1999 fixant les modalités  de  création,  d’organisation  et  de  fonctionnement  de  l’établissement  public  à caractère scientifique et technologique.

L’établissement est dirigé par un directeur, administré par un  conseil d’administration et  doté d’un conseil scientifique.

Le directeur est assisté par un directeur adjoint, nommé par arrêté  de l’autorité de tutelle, sur proposition du directeur.

Le directeur adjoint coordonne l’activité des départements administratifs et techniques qui sont organisés en services

1982 : création du Centre de Développement des Techniques Avancées au sein du Commissariat aux Énergies Nouvelles (CEN)

Laboratoires : Architecture des Systèmes / Robotique / Laser / Plasma / Fusion thermonucléaire / Étude spatiale des rayonnements

22 mars 1988 : création du ‘’Centre de Développement des Technologies Avancées’’ par Décret Présidentiel n° 88-61.

29 novembre 1988 : organisation interne du CDTA fixée par Arrêté Interministériel.

Départements de recherche et développement : Cybernétique / Milieux Ionisés / Microélectronique

28 décembre 1988 : rattachement de l’Unité de Développement de la Technologie du Silicium au CDTA par Arrêté Ministériel.

16 novembre 1999 : Décret Exécutif n°99-256 fixant les modalités de création, d’organisation et de fonctionnement de l’établissement public à caractère scientifique et technologique.

01 décembre 2003 : Décret Exécutif n° 03-457 modifiant et complétant le décret N° 88-61 du 22 mars 1988 portant création du Centre de Développement des Technologies Avancées et passage du Centre au statut d’Établissement Public à Caractère Scientifique et Technologique.

02 septembre 2006 : Arrêté Interministériel portant organisation interne du Centre de Développement des Technologies Avancées : Divisions de recherche : Architecture des systèmes et multimédia / Microélectronique et nanotechnologie / Milieux ionisés et laser / Productique et Robotique 08

08 novembre 2007 : Arrêté Interministériel complétant l’arrêté interministériel du 02 septembre 2006 portant organisation interne du Centre de Développement des Technologies Avancées et relatif aux activités de l’Unité de Développement de la Technologie du Silicium. 1

5 mars 2011 : Arrêté Ministériel n° 143 portant création d’une Unité de Recherche en Photonique et Optique, sise à Sétif et rattachée au Centre de Développement des Technologies Avancées.

21 août 2012: Décret exécutif n° 12-316 du 3 Chaoual 1433 correspondant au portant création du centre de recherche en technologie dessemi-conducteurs pour l’énergétique (CRTSE).

Article 1er. . En application des dispositions de l’article 2 du décret exécutif n° 11-396 du 28 Dhou El Hidja 1432 correspondant au 24 novembre 2011,susvisé, il est créé un centre de recherche dénommé Centre de recherche en technologie des semi-conducteurs pour l’énergétique (CRTSE) désigné ci-après « le centre ». Voir Art. 6.

Art. 8. . Les personnels relevant de l’unité de développement de la technologie de silicium (UDTS) relevant du centre de développement des technologies avancées sont transférés au centre de recherche en technologie des semi-conducteurs pour l’énergétique (CRTSE) conformément à la législation et à la réglementation en vigueur.

04 janvier 2014: Arrêté n° 003 du 04 Janvier 2014 , création d’une Unité de Recherche intitulée Composants et Dispositifs Optoélectroniques; au sein du Centre de Développement des Technologies Avancées, a été créée par l’ ,Le siège de l’unité de recherche est fixé à la wilaya de Sétif.