Chef d’équipe : Dr. ATROUCHE -BELAROUSSI Yasmina L’équipe ARFIC (Analog & Radio Frequency Integrated Circuits) mène ses travaux de recherche selon deux axes principaux: d’une part, la conception de circuits intégrés (CI) analogiques, radiofréquences et mixtes; d’autre part la caractérisation et la modélisation large bande des dispositifs actifs et passifs en bande millimétriques. Concernant le premier axe, l’équipe ARFIC mène depuis plusieurs années des activités de recherche et de développement dans le domaine de la conception des circuits intégrés (CI) analogiques, radiofréquences et mixtes, pour les applications sans fil et filaire à haut débit, en technologie CMOS submicrométrique, pour leur fabrication dans des fonderies telles que STMicroelectronics, TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ou encore SMIC (Semiconductor Manufacturing International Corporation). L’équipe ARFIC implémente sur silicium des solutions d’émission et de réception RF à basse consommation de puissance dédiées aux objets communicants intelligents et les teste grâce aux moyens de test disponibles au niveau de la division microélectronique et nanotechnologie Quant au deuxième axe, le projet consiste en la caractérisation et la modélisation des dispositifs MOS en technologie SOI avancés et l’élaboration de substrats silicium poreux dédiés à la conception et à la fabrication de composants et de circuits intégrés pour les applications de communication sans fil en bande millimétriques. Des structures passives en bande millimétrique fabriquées sur des substrats silicium standards et silicium poreux (PSi) avec un procédé compatible CMOS de la Plateforme Technologique de Micro-fabrication (PTM) du CDTA pour les applications sans-fil. Des compétences et une expertise ont été acquises, dans le cadre d’une collaboration avec l’institut ICTEAM de l’Université Catholique de Louvain (Belgique), dans différentes étapes du procédé et allant de l’étape d’anodisation à l’intégration de structures sur substrats silicium standards et poreux, en plus, de la caractérisation radiofréquence des dispositifs MOS SOI avancés et de circuits passifs millimétriques. Membres de l’équipe ATROUCHE-BELAROUSSI Yasmina (MRA) ybelaroussi@cdta.dz MAAFRI Djaber (MRA) dmaafri@cdta.dz Goudjil Mohamed (AR) mgoudjil@cdta.dz TRAICHE Smail (AR) straiche@cdta.dz EL OUCHDI Ahmed Amine(MRB) aelouchdi@cdta.dz TAHIR Nasrallah (AR) ntahir@cdta.dz Projets: Projets socio-économiques: Projet DPESCIBD : Développement d’un process d’élaboration de substrats dédiés à la conception et à la fabrication de circuits intégrés en bande millimétrique. Chef du projet : ATROUCHE-BELAROUSSI Yasmina. Expertise Conception de fonctions analogiques et RF en CMOS (LNA, Mixer,…). Intégration de fonctions RF dans les systèmes d’émission-réception. Elaboration de substrats silicium poreux (PSi) dédiés à l’intégration de structures passives millimétriques Conception de circuits passifs sur PCB et silicium poreux (Filtres, Combineurs, etc.). Intégration de circuits passifs millimétriques (filtres, diviseur de puissance, circulateurs, etc.) sur substrats Si et PSi. Caractérisation électrique statique et haute fréquence et modélisation des structures MOS en technologie SOI Développement des techniques d’extraction du circuit équivalent petit signal des transistors MOS avancés. Domaine d’impact Niveau national Optimisation d’un procédé d’élaboration du silicium poreux pour les applications de communication sans-fil en bande millimétrique (100% in-house) avec un procédé compatible CMOS. Mise en place d’un banc de mesure RF pour la caractérisation des circuits passifs et actifs millimétriques fabriqués. Mise en place d’une plateforme pédagogique de e-formation. Niveau international Collaboration internationale avec l’ICTEAM, Université catholique de Louvain, Belgique Des publications de haut niveau dans IEEE, Elsevier …etc. Participation à des conférences spécialisées organisées par les sociétés savantes telles IEEE, Elsevier…etc.