Section Procédés Le service de procédé a pour mission de développer et d’assurer les étapes de production de la licence CMOS 1µm et des composants MEMS, plus précisément, les étapes suivantes : Réalisation de procédés de dépôt physique et chimique Gravure humide et nettoyage chimique Gravure sèche par plasma Réalisation de procédés de lithographie Implantation ionique Inspection et caractérisation des étapes de réalisation Découpage et encapsulation de puces électroniques Liste des équipements mis en place pour la réalisation et caractérisation : Photolithographie (I-line UV stepper 6”+Dual Coater & Developer Track). Gravure humide et nettoyage (SAT, SST, etc.). Gravure sèche par plasma (Métal, PolySi , Oxyde, Nitrure). Implantation ionique en Phosphore (dopage N), Bore (dopage P) et Arsenic (dopage N). Diffusion et dépôt (Silice, nitrure, poly, Oxydation) avec des fours horizontaux destinés pour la réalisation des procédés à pression atmosphérique et à basse pression. Dépôt Métal PVD (Aluminium, titane, TiN). Dépôt de films minces PECVD (oxyde & nitrure). Métrologie, Inspection & Test. Découpe & encapsulation. Dr. Walid Filali Chef de section Email: wfilali@cdta.dz Zone de photolithographie Toutes les étapes du procédé photolithographique (déshydratation et dépôt d’HMDS, dépôt et étalement de résine, exposition aux UV, développement de résine, et l’inspection…) s’effectuent dans cette zone … Zone de diffusion La zone de diffusion comprend trois fours horizontaux destinés pour la réalisation des procédés à pression atmosphérique et à base pression tels que l’oxydation, la diffusion, le recuit, le dépôt de nitrure de silicium, le dépôt du poly-Si et le dépôt du TEOS et BPSG … Zone de dépot par plasma Le rôle de la zone de dépôt par plasma dans le procédé de fabrication technologique CMOS est la réalisation des contacts et des interconnexions (couches métallique) entre les différentes parties du circuit en cours de fabrication, ainsi que la réalisation des … Zone de gravure par plasma La gravure par plasma dite sèche, utilise des agents de gravure en phase gazeuse dans un plasma à basse pression. Elle permet la gravure directionnelle sans utiliser l’orientation cristalline du substrat ou la couche à graver. Zone d’implantation ionique Un implanteur ionique à courant moyen est utilisé pour introduire des dopants dans une plaquette. Zone de gravure humide et nettoyage Les équipements de la zone de gravure humide et nettoyage sont divisés en équipement de rotation (spin) et de bain … Zone de caractérisations Les équipements de caractérisation sont utilisés lors de contrôles non destructifs en cours de fabrication ou lors de caractérisations avancées de procédés, la centrale dispose d’une large palette d’équipements de caractérisation. Nos nombreux outils de caractérisation permettent de … Zone de Backend Dans cette zone le découpage et empaquetage des wafers sont réalisés.
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