Zone de gravure humide et nettoyage Cette zone est destinée pour la gravure par voie chimique des oxydes et nitrures de silicium (SiO2, Si3N4) par des acides forts. Le nettoyage des plaquettes est une étape préalable afin d’assurer la continuité du procédé de fabrication. À cet effet, des solutions d’acides et de bases diluées sont utilisés selon des standards bien déterminés. Les équipements qui permettent de réaliser ces procédés chimiques sont listés comme suit: Equipement de gravure d’oxyde de silicium Cet équipement est destiné à la gravure de l’oxyde de silicium, par la solution d’acide fluorhydrique (HF) tamponné par le fluorure d’ammonium (NH4F), dite BOE (Buffered Oxide Etch). Le chargement de la solution chimique se fait manuellement. Il est fabriqué en Polypropylène naturel, la tuyauterie en Polyvinylidène fluoride (PVDF), qui présente une bonne résistance aux acides. Equipement de gravure de nitrure de silicium Cet équipement est destiné à la gravure de nitrure de silicium (Si3N4), par la solution d’acide phosphorique 80% (H3PO4) à 160-165°C. Le chargement de la solution chimique se fait manuellement. La conception générale de cet équipement est quasiment similaire à celui destiné à la gravure d’oxyde de silicium. Il est fabriqué en Polypropylène naturel, la tuyauterie en Polyvinylidène fluoride (PVDF), qui présente une bonne résistance aux acides. SPRAY SOLVENT TOOL (SST) C’est un équipement de chargement manuel conçu pour l’utilisation des solvants inflammables pour l’enlèvement des résines photosensibles, gravure des polymères, des polyamides et des contaminants organiques. Il est fabriqué en acier inoxydable, matière résistante aux attaques des solvants organiques. SPRAY ACID TOOL (SAT) Il est conçu pour la réalisation des procédés de cleaning, stripping & etching : Piranha (H2SO4 : H2O2) SC1 (NH4OH : H2O2 : H2O) SC2 (HCl : H2O2 : H2O) DHF (HF : H2O). Spin Rinser Dryer (SRD) Cet équipement est dédié au rinçage final et séchage des wafers après exécution d’un procédé quelconque. Le rinçage des wafers par de l’eau ultra pure et le séchage par de l’azote chaud qui évapore l’eau et l’humidité de la surface. Les produits chimiques utilisés Les produits chimiques utilisés sont : HF à 21°C avec et sans contact direct NH4F à 21 °C en contact direct H3PO4 à 160 °C en contact direct H2SO4 à 90°C pas de contact direct NH4OH à 60°C pas de contact direct HCl à 60°C pas de contact direct H2O2 à 60°C, et 90°C pas de contact direct EKC solution commerciale à 70°C pas de contact direct IPA Les équipements de protection individuelle Dans le cas de bain comme le cas de gravure d’oxyde et de nitrure de silicium, les EPI sont obligatoire, vu le contact direct avec la solution chimique, et sont, le tablier, les lunettes, le masque et les gants résistants aux produits chimiques.
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